K. Ghatak – Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures (2015)

Name: K. Ghatak - Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures (2015)
SKU: 23353
Price: 1335 RUB
Availability: InStock

1.335 ₽

Автор: K. Ghatak
Название книги: Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures
Формат: PDF
Жанр: Нанотехнологии
Страницы: 664
Качество: Изначально компьютерное, E-book

This book presents the dispersion relation in heavily doped nano-structures. The materials considered are III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, Platinum Antimonide, stressed, GaSb, Te, II-V, HgTe/CdTe superlattices and Bismuth Telluride semiconductors. The dispersion relation is discussed under magnetic quantization and on the basis of carrier energy spectra. The influences of magnetic field, magneto inversion, and magneto nipi structures on nano-structures is analyzed. The band structure of optoelectronic materials changes with photo-excitation in a fundamental way according to newly formulated electron dispersion laws. They control the quantum effect in optoelectronic devices in the presence of light. The measurement of band gaps in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation is displayed. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, intense electric fields on the on the dispersion relation in heavily doped semiconductors and super-lattices are also discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for graduate students and researchers. The book is written for post graduate students, researchers and engineers.

Категории: Нанотехнологии, Электронные книги Метки: Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures, Ghatak

Описание
Отзывы (0)

Описание

K. Ghatak — Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures (2015) — монография, посвящённая особенностям дисперсионных соотношений в сильно легированных наноструктурах. Автор подробно рассматривает, как высокая концентрация примесей меняет электронную структуру полупроводниковых наносистем и влияет на их оптические и транспортные свойства.

Книга анализирует различные типы наноструктур: квантовые ямы, проволоки, точки, а также суперрешётки и гетероструктуры. Особое внимание уделяется влиянию легирования на форму закона дисперсии, появлению аномалий и новым эффектам, которые невозможно наблюдать в объёмных материалах.

исследователям и аспирантам в области физики полупроводников и наноэлектроники
специалистам по материаловедению, разрабатывающим устройства на основе наноструктур
студентам старших курсов и преподавателям, изучающим квантовую теорию твердого тела
инженерам, работающим с квантовыми приборами, оптоэлектроникой и спинтроникой